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半导体器件温度测量方法
尽管半导体领域取得了突破性进展，但芯片制造商面临的主要问题是这些设备的过热。这个问题降低了它们的整体效率和外壳寿命，增加了成本并消耗了有限的资源。为了解决这个问题，正在开发创新和方法来检测这种过热并使半导体保持在其工作温度。工作温度极大地影响半导体器件…
2024-02-29 -
WBG SIC、GaN 和高端 SI 电源开关技术的应用特定权衡
面对日新月异的半导体技术，SiC-FET（MOSFET）和横向 GaN-HEMT 仍然是电源开关技术中最重要的器件之一。随着该领域的最新进展，SiC 和 GaN 在提高功率器件和高功率应用电路的性能方面发挥了巨大作用。此外，这些器件表现出更高的效率，同时大大降低了生产和实施成本。SiC…
2024-02-29 -
功率 MOSFET 中超宽带隙 Ga2O3 半导体材料的开发
电力电子技术是目前正在开发的技术，旨在通过静态方式实现电力的高效功率转换，从而实现与功率器件性能直接相关的节能。人们已经系统地研究了 SiC 和 GaN 等宽带隙 (WBG) 材料，以实现高工作电压和能量转换效率。它提高了电力电子系统的功率密度和效率。进一步发展需要考…
2024-02-29
